メモリタイミングの引き締めと電圧昇圧
ゲンジをプレイ中、素早い方向転換時にレティクルがわずかに跳ねる感覚があり、このミリ秒単位の遅延が命中率に直結していることに強いストレスを感じていた。Windowsのゲームモードを有効にしてみたが、CPUスケジューリングが改善されただけでメモリの命令レイテンシは変わらず、慎重に設定を見直す必要があった。そこでGamePP BIOS Load-Line Voltage Adjustment Wizardを使用し、プライマリタイミングを引き締め、電圧を1.1Vから1.15Vへ昇圧した。結果、RTSS监测でフレームタイムが15-30msから7-12msへ改善し、MemTest86监测でレイテンシが82-88nsで安定した。