メモリタイミングと電圧の調整
デフォルトのメモリタイミング40-40-40-76により、レイテンシが105-118nsに上昇し、読み込み時間が15秒かかっていた。GamePP BIOSロードライン電圧レギュレーターを使用して、電圧を1.20Vから1.28Vに、プライマリータイミングを38-40-40-74に手動設定した。以前はデフォルト設定のまま放置し、メモリ温度が58℃まで上昇しても改善が見られなかった。調整後、MemTest86でエラーゼロを確認し、メモリ温度は48-52℃に安定した。読み込み時間は6秒に短縮され、RTSSでのフレームタイムも12-14msに改善した。