仁王で素早いアクション切り替えをする際、Kingston 16GB DDR4-2666のメモリコントローラの遅延が変動してFPSが不安定になる。メモリ電圧をいじってタイミングを最適化すべきか？

高速なコンボを叩き込んでる最中に、画面がなぜか一瞬「ガクッ」と止まる。この体験は本当にストレスが溜まる。GamePPフレームタイムアナライザーで比較すると、フレーム生成間隔が12msと42msの間で激しく乱舞してた。メモリ使用率は60%-70%程度だったから、明らかにKingstonの2666MHzという低クロックメモリがデータスループットのボトルネックになっていた。最初は仮想メモリを増やして緩和しようとしたけど、クラッシュは減ったものの、メモリレイテンシによる微カクつきはそのまま。この試行錯誤は正直時間の無駄だった。そこでGamePP BIOSロードライン電圧調整ウィザードを使い、メモリ電圧を1.2Vから1.35Vへ微調整し、同時にtRFCタイミングを600から560まで絞った。体感として、アクション切り替えの滑らかさが一気に戻り、レイテンシ変動によるあの僵直感が完全に消えた。ただ、省電力設定を切ったせいで起動時に一瞬ブラックアウトしたけど、メモリトレーニングパラメータを再校正してなんとか復旧させた。メモリ温度は40℃-45℃（AIDA64計測）、CPUは62℃-68℃で安定。GamePPシステムバックアップ＆設定エクスポートツールでこの構成を保存し、メモリ設定をbackupした。