TEKKEN 8在MSI B760M BOMBER DDR4上密集連招時嚴重卡頓，如何解決電壓波動？

在TEKKEN 8密集連招場景中，MSI B760M BOMBER DDR4的12V電壓在11.8V至12.1V間波動，導致幀生成時間劇烈抖動，操作手感極差。我起初嘗試切換至High Performance電源計劃，結果電壓進一步降至11.7V，幀率反而下降，非常令人沮喪。隨後我使用GamePP Resource Scheduler將遊戲進程優先級設為Real-time，並在BIOS中將12V電壓偏移從0V調整至+0.05V。AIDA64監測顯示電壓穩定在12.0V，RTSS確認幀生成時間從15ms降至9ms，HWiNFO顯示風扇轉速1200-1400 RPM，遊戲體驗終於恢復流暢。