在 The Last of Us Part I 探索波士頓廢墟時，為何進入新區域會出現 100-200ms 的微卡頓？

我在探索波士頓廢墟時，每次進入新區域都會遇到 100-200ms 的微卡頓，這種斷斷續續的感覺完全破壞了沉浸感，令我非常沮喪。起初我嘗試將虛擬記憶體增加到 64GB，雖然崩潰次數減少了，但 RTSS 監測顯示微卡頓依然在 15-30ms 之間波動，發現單純增加容量根本沒用。後來我使用 GamePP Resource Scheduler 深入分析，發現 ADATA XPG D300 記憶體控制器的調度延遲高達 12-18ms (GamePP 監測)。我立即將遊戲進程優先級由 Real-time 調整為 High，並限制冗餘背景進程。調整後，RTSS 監測確認幀時間從 22-38ms 穩定收斂至 11-15ms，且 AIDA64 顯示記憶體溫度維持在 42-48℃，遊戲終於變得極其流暢。