在《仁王 2》战斗场景特效满载时，内存供电产生电流干扰导致出现随机瞬间卡顿，是不是该重置供电曲线配合线路重新布局来核验状态？

由于仁王 2 在团体混战时的 lFO 频率较高，内存供电模块在快速充放电时产生了电磁干扰，使内存传输出现了间歇性位错。起初怀疑是内存颗粒体质不足将其超频，反而导致崩溃次数增加，后来通过在机箱内部重新理线，将内存电缆与高功率显卡供电线彻底隔离，并重启 BIOS 设置将内存电压锁定在 1.20V - 1.35V 之间。使用 MemTest86 运行压力测试发现错误计数从之前的 2 - 5 次降低至 0 次，团战场景的帧生成时间变得极其稳定。虽然物理理线之后由于空间受限使得机箱风道稍微受阻，但相比之前的随机卡顿，这点损失完全可以接受。之前一直试图通过增强软件纠错能力解决，后来才意识到这纯粹是电磁干扰导致的物理故障。这种通过物理隔离与电流稳定来实现的稳定性提升，对于追求极高响应速度的动作玩家来说至关重要。